Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Технология производства полупроводниковых приборов

Main
Technique - Electronics
Технология производства...

Технология производства полупроводниковых приборов

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М.

0 / 0

Наскільки Вам сподобалась ця книга?

Яка якість завантаженого файлу?

Скачайте книгу, щоб оцінити її якість

Яка якість скачаних файлів?

Категорії:

Technique - Electronics

Рік:

1968

Мова:

russian

Сторінки:

234

Файл:

DJVU, 4.48 MB

IPFS:

,

russian, 1968

Читати Онлайн

Виконується конвертація в

Конвертація в не вдалась

Можливо вас зацікавить

Бабушкина Л. Г. — Конструирование и технология производства микросхем

Музылева И. В. — Электротехническое и конструкционное материаловедение. Полупроводниковые материалы и их применение

Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И. — Производство полупроводниковых приборов.

Богомазова, Наталья Валентиновна — Технология полупроводников

Кувшинов, А. М. — Основы микро- и наноэлектроники. Конструкция и технология микросхем

Брук В. — Производство полупроводниковых приборов

Мазель Е. — Планарная технология кремниевых приборов

Моряков О. — Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве

Курносов А. — Технология производства полупроводниковых приборов

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Н. В. Жданова — Микроэлектроника: учебное пособие. Специальность 210100.62 – Электроника и наноэлектроника

Гаврилов С.Н., Никулин С.М — Микроэлектроника

О. В. Семенова. — Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. — Технология интегральной электроники

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. и др. — Технология интегральной электроники

Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И. — Производство полупроводниковых приборов

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Мешковский И.К., Новиков А.Ф., Токарев А.В. — Химия радиоматериалов. Часть 2. Поверхность и ее обработка

Мешковский И.К., Новиков А.Ф., Токарев А.В. — Химия радиоматериалов. Ч.2. Поверхность и ее обработка

Знаменская Т.Д. — Лекции по конструкторско-технологическому обеспечению

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

Захарова И.Б. — Физические основы микро - и нанотехнологий

Скоробогатова Л.А., Зубрицкий С.М., Петров А.Л., Семёнов А.Л. — Технологии материалов для микро - и наноэлектроники

Рыжиков И.В. — Лекции по технологии микро-электронных устройств

Колобов Н.А., Самохвалов М.М. — Диффузия и окисление полупроводников

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Тилл У.С., Лаксон Д.Т. — Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление

Жданова Наталья Владимировна — Микроэлектроника

Филяк М. М. — Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Сост. СП. Зимин — Методы контроля технологических процессов в электронике: Методические указания по выполнению лабораторных работ

Л.В — Кремниевая фотоника. Учебно-методическое пособие по практическим работам

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Родионов, Ю. А. — Базовые технологические процессы интегральных схем : метод. указания и контр. задания по дисц. «Маршрутная технология интегральных и больших гибридных интегральных схем, датчики и сенсорные устройства» (раздел «Базовые технологическ

Коллектив авторов — Дадаян Ю.А., Храбров И.Ю. Интеллектуальные измерительные преобразователи. Ч. 1

Бургер Р., Донован Р. (ред.) — Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Ключові фрази

диффузии

германия

поверхности

полупроводниковых

пластинки

интегральных

транзисторов

травления

скорость

вплавления

получения

температуры

фоторезиста

приборов

элементов

германий

окисления

используют

полупроводника

изготовления

скорости

качестве

процесса

концентрации

температуре

пластины

поверхность

происходит

транзистора

плоскости

диффузия

приводит

растворения

алюминия

концентрация

переходов

результате